Hier könnte man ein bisschen über Technik reden, damit ist also alles gemeint von Auto über Elektrotechnik bis alles was mit der Naturwissenschaft zu tun hat Fände ich nicht schlecht wenn man sich da etwas austauschen könnte wenns um irgend welche Themen geht die jetzt zu "hoch" für den Papierkorb sind Also ich habe eine Frage für Transistoren. Ich habe mir npn-Transistoren mit 45V EmitterSperrspannung gekauft. Nun die Frage: Was ist die Emitter Sperrspannung? Ist das die Spannung die der Transistor benötigt um durchzuschalten?

Zitat von Lask Fan Hier könnte man ein bisschen über Technik reden. Ich glaube das wir der Thread mit den wenigsten Klicks xD

Ja und? Leider gibts in Deutschland keine HTL... Darum ist der Anteil an jungen Ingenieuren auch sehr gering denk ich mal ^^

Als ich den threadnamen gelesn hab dachte ich erst an sowas: "Hi Leute, mein Schibbschwager hat vor kurzem die Schule beendet und möchte nun ein Ausbildung als Ingeneur beginnen. Wir haben uns auf dieser seite (seitenlink) erkundigt. Könnt ihr mir sagen ob man der Seite (seitenlink) glauben kann und habt ihr tipps?" Aber gsd nicht^^

Quelle : Wikipedia Unter Basis-Emitter-Spannung versteht man die elektrische Spannung, die zwischen dem Basis-Anschluss und dem Emitter-Anschluss an einem Bipolartransistor abfällt. Sobald an der Basis eine ausreichende Spannung anliegt, wird der Transistor „durchlässig“ und ein elektrischer Strom kann über die Kollektor-Emitter-Strecke fließen. Diese Basis-Emitter-Spannung wird in Datenblättern meist als UBE bezeichnet. Bei einem npn-Transistor muss die Spannung dazu positiv und bei einem pnp-Typ negativ gegenüber dem Emitter sein. Die Basis-Emitter-Spannung ändert sich leicht mit dem fließenden Strom, für viele Anwendungen ist es aber ausreichend, sie als konstant anzunehmen. Der Transistor wirkt dann wie ein Schalter, der bei ansteigender (NPN) bzw. absinkender (PNP) Spannung bei diesem Spannungswert von geöffnet (nichtleitend) auf geschlossen (leitend) umschaltet. Die Basis-Emitter-Spannung, ab der ein Bipolartransistor „durchlässig“ wird, hängt sowohl vom verwendeten Halbleitermaterial als auch von der Temperatur ab. Für Silicium bei Raumtemperatur beträgt der Wert etwa 600–700 mV, für Germanium liegt er bei etwa 200–300 mV.

Lask hat aber eine Spannung von 45V angegeben. Ich denke, es handelt sich um eine maximale Spannung, ab der der Transistor zerstört wird. Könnte sich um den pn-Übergang von Basis zu Emitter handeln, wenn für ihn gesehen die Spannung in Sperrrichtung anliegt. Mal so ins Blaue geraten .

Die Emitter-Sperrspannung nennt man eigentlich Kollektor Emitter-Sperrspannung und das ist die maximale Spannungsbelastbarkeit. @Lask Also mit dem durchschalten liegste ganz schön kräftig falsch. Ich würde dir empfehlen dich mal im Elektronik Kompendium oder sonst wo. mal etwas aufzschlauen bezüglich Transistoren, also gerade was es für unterschiedliche Spannungen gibt und wo diese anliegen bzw. wozu die da sind. Denn gerade transistoren sind eine schöne umfangreiche Geschichte, die ich nach meiner Fachhochschulreife auch recht schnell wieder vergessen habe, außer vlt. grundlegendes zu dem Thema